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[发明专利]一种检测并定位异常MOSFET的方法、系统、设备及介质-CN202010130096.9有效
发明人：陈律言 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测并定位异常MOSFET的方法、系统、设备和存储介质，方法包括以下步骤：响应于接收到输入电压升高信号，判断是否存在MOSFET输出电压；响应于存在MOSFET输出电压，控制所有MOSFET处于关闭状态，并实时比较MOSFET输出电压和MOSFET输入电压的大小；响应于MOSFET输出电压小于MOSFET输入电压，读取每个MOSFET流过的电流值并与阈值进行比较；以及响应于存在MOSFET的电流值超过阈值，将MOSFET确定为异常MOSFET。本发明提出的检测并定位异常MOSFET的方法、系统、设备及介质通过实时比较MOSFET输出电压和MOSFET输入电压的大小，能够及时确定MOSFET是否存在异常，并能根据电流对异常MOSFET进行定位。
一种检测定位异常 mosfet 方法系统设备介质

[发明专利]堆叠式MOSFET电路和操作堆叠式MOSFET电路的方法-CN201810305904.3有效
发明人：谢永涛;小埃内斯托·Z·卡古伊奥 -专利权人：雅达电子国际有限公司
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明涉及堆叠式MOSFET电路和操作堆叠式MOSFET电路的方法。示例性MOSFET电路包括具有栅极、源极和漏极的第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)以及与所述第一MOSFET串联联接的第二MOSFET。所述第二MOSFET具有栅极、源极和漏极。该MOSFET电路还包括控制器，所述控制器配置为向所述第一MOSFET的栅极和所述第二MOSFET的栅极提供相同的控制信号，以在第一MOSFET的漏‑源电压和第二MOSFET的漏‑源电压基本上为零时接通或关断第一MOSFET和第二MOSFET。还公开了其他MOSFET电路以及操作MOSFET电路的方法。
堆叠 mosfet 电路操作方法

[发明专利]一种车载电源稳压装置及其控制方法-CN201810291116.3在审
发明人：张全雷 -专利权人：安徽国华光电技术有限公司
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明涉及一种车载电源稳压装置及其控制方法，包括主控MCU芯片和与主控MCU芯片电连接的MOSFET管(A)、MOSFET管(B)、MOSFET管(C)、MOSFET管(D)4个MOSFET管，所述的MOSFET管(A)、MOSFET管(B)、MOSFET管(C)、MOSFET管(D)4个MOSFET管串联布置，所述的电感并联于4个MOSFET管之间。
主控MCU芯片车载电源稳压装置串联布置电感并联电连接高功率高频率高效率体积小易安装

[实用新型]电流感测装置-CN201520770627.5有效
发明人：王飞 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：根据本实用新型的一个实施例，所述电流感测装置包括：感测MOSFET；功率MOSFET；以及补偿MOSFET，其中，所述补偿MOSFET的漏极和所述功率MOSFET的漏极连接在一起，所述感测MOSFET的栅极和所述功率MOSFET的栅极连接在一起，并且所述补偿MOSFET被配置为对由所述感测MOSFET与所述功率MOSFET的单位指状分支宽度的不同而引起的漏极端寄生电阻差进行补偿，其中所述感测MOSFET、所述功率MOSFET以及所述补偿MOSFET都是LD-MOSFET器件。通过采用根据本实用新型的电流感测装置，能够通过对流过感测MOSFET的电流进行检测来精确地确定流过功率MOSFET的电流。
流感装置

[发明专利]一种基于同型MOSFET的控制电子束高频偏转扫描装置-CN201310291247.9有效
发明人：许海鹰;代建辉;左从进;韩瑞清;付鹏飞;王西昌;王永锋 -专利权人：中国航空工业集团公司北京航空制造工程研究所
申请日： 2013-07-11 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H04N3/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于同型MOSFET的控制电子束高频偏转扫描装置，包括：恒压源、换向电路、线性放大电路以及电流采样电路；换向电路包括第1驱动电路、第2驱动电路、第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET、第四MOSFET以及扫描线圈；线性放大电路包括第3驱动电路、第4驱动电路、第五MOSFET、以及第六MOSFET，第3驱动电路连接第五MOSFET的栅极，第4驱动电路连接第六MOSFET的栅极；恒压源的负端接地，正端连接第一MOSFET的漏极与第二MOSFET的漏极，第四MOSFET的源极连接第六MOSFET的漏极，第三MOSFET的源极连接第五MOSFET的漏极，第五MOSFET的源极连接第六MOSFET的源极
一种基于 mosfet 控制电子束高频偏转扫描装置

[实用新型]MOSFET电路和电源-CN201820486008.7有效
发明人：谢永涛;小埃内斯托·Z·卡古伊奥 -专利权人：雅达电子国际有限公司
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本实用新型涉及MOSFET电路和电源。示例性MOSFET电路包括具有栅极、源极和漏极的第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)以及与所述第一MOSFET串联联接的第二MOSFET。所述第二MOSFET具有栅极、源极和漏极。该MOSFET电路还包括控制器，所述控制器配置为向所述第一MOSFET的栅极和所述第二MOSFET的栅极提供相同的控制信号，以在第一MOSFET的漏‑源电压和第二MOSFET的漏‑源电压基本上为零时接通或关断第一MOSFET和第二MOSFET。还公开了其他MOSFET电路以及电源。
电源源电压漏极源极金属氧化物半导体场效应晶体管本实用新型控制器配置控制信号控制器关断零时联接串联接通

[发明专利]一种Mosfet状态监测装置-CN201710918508.3在审
发明人：杨凯 -专利权人：郑州云海信息技术有限公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明公开一种Mosfet状态监测装置，包括Mosfet，以及接收控制芯片的控制信号，根据控制信号驱动Mosfet开通关断的Mosfet驱动电路；实时监测Mosfet栅极电压，并将监测信号传至控制芯片的Mosfet栅极电压监测电路；以及，控制芯片和监控后台；控制芯片的输出端分别与Mosfet驱动电路的输入端、监控后台的输入端连接；Mosfet驱动电路的输出端与Mosfet栅极连接；Mosfet栅极电压监测电路的输入端与Mosfet栅极连接，Mosfet栅极电压监测电路的输出端与控制芯片的输入端连接；控制芯片发送控制信号至Mosfet驱动电路，并接收和处理Mosfet栅极电压监测电路的监测信号，当该监测信号异常时，发送报警信号至监控后台本发明时时侦测Mosfet的栅极电压，在栅极电压异常时及时通知控制芯片，提前发现Mosfet异常。
一种 mosfet 状态监测装置

[发明专利]一种SiC MOSFET变流器的布局方法及SiC MOSFET变流器-CN201910418846.X有效
发明人：宋振浩;吴鸣;郑楠;吕志鹏;孙丽敬;季宇;李蕊;寇凌峰;赵婷 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明公布了一种SiC MOSFET变流器的布局方法及SiC MOSFET变流器，布局方法包括：SiC MOSFET模块(1)的交流端口(7)经U型母排(11)连接至三相电感(8)；所述SiC MOSFET模块(1)的栅源极上直插着SiC MOSFET驱动模块(2)；所述SiC MOSFET模块(1)的直流端口垂直插着直流母排(3)，所述直流母排(3)两侧分别安装电容(4)；所述SiC MOSFET驱动模块(2)与控制器(5)连接，用于通过控制SiC MOSFET驱动模块(2)驱动SiC MOSFET模块(1)。本发明将SiC MOSFET驱动模块直插于SiC MOSFET模块栅源极上，保证SiC MOSFET驱动模块与SiC MOSFET模块栅源极之间的连接满足SiC MOSFET模块的开关速度。
一种 sic mosfet 变流器布局方法

[发明专利]一种基于24V EPS系统MOSFET驱动器与MOSFET匹配的方法-CN202211624911.2在审
发明人：何连海;刘永星;马嘉;雷帅;吕欣悦;许斌 -专利权人：陕西万方汽车零部件有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明属于汽车制造技术领域,涉及一种基于24V EPS系统MOSFET驱动器与MOSFET匹配的方法，通过采用MOSFET栅极电荷和工作频率的MOSFET驱动器功耗、根据MOSFET所需的导通和截止时间，将MOSFET驱动器的电流驱动能力与MOSFET栅极电荷相匹配，解决了24V EPS系统中MOSFET与MOSFET驱动器匹配问题，提高了24V EPS系统MOSFET驱动器与MOSFET的匹配度，进而提高了驱动电机的效率和电机控制的稳定性，提高了MOSFET驱动器的驱动能力；因此，本发明解决了24V EPS系统MOSFET驱动器的电流驱动能力不足的问题并且降低了24V EPS系统MOSFET驱动器的功耗。
一种基于 24 eps 系统 mosfet 驱动器匹配方法

[发明专利]一种调整同步整流时序的装置及方法-CN201410811355.9有效
发明人：沈楠科 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种调整同步整流时序的装置及方法，解决同步整流技术中的电源变换器不能便捷地兼容不同结电容和栅极导通电压的功率MOSFET及电源变换器的上下功率MOSFET同时导通而产生大量热耗的问题。本发明包括：电源变换器，电源变换器包括上功率MOSFET及下功率MOSFET；与上功率MOSFET及下功率MOSFET连接的处理器；处理器对上功率MOSFET及下功率MOSFET的栅极电压进行实时检测，标记出较先导通的功率MOSFET；在上功率MOSFET的栅极电压与下功率MOSFET的栅极电压同时满足导通条件使上功率MOSFET和下功率MOSFET同时导通时，将带有标记的功率MOSFET关断预设时间
一种调整同步整流时序装置方法

[实用新型]一种新型组合式功率MOSFET器件-CN202221943053.3有效
发明人：李健 -专利权人：江苏东海半导体股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及MOSFET器件设备技术领域，公开了一种新型组合式功率MOSFET器件，包括MOSFET器件，MOSFET器件的侧面中心滑动安装有连接件，MOSFET器件的底端面均匀固定连接有栅极，MOSFET器件的侧面四角均固定连接有垫块，垫块的侧面中心贯穿开设有插接孔，MOSFET器件的顶面两端边缘对称开设有插接槽，MOSFET器件的侧面中心开设有螺纹孔，MOSFET器件的顶面滑动安装有横板，横板的两端底面对称固定连接有插接块本实用新型可以通过对MOSFET器件之间的连接，便于对MOSFET器件之间进行组合连接使用，而且便于对大量的MOSFET器件进行整齐存放，从而避免对MOSFET器件底端的栅极造成损坏，导致MOSFET器件报废
一种新型组合式功率 mosfet 器件

[发明专利]一种降低MOSFET功率损耗的系统与方法-CN202111293828.7在审
发明人：张东来;朱雪丽;高伟 -专利权人：哈尔滨工业大学(深圳)
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低MOSFET功率损耗的系统，包括需要驱动的MOSFET、差分采样电路、电压比较器、实现“或门”的逻辑电路和MOSFET驱动电路，差分采样电路采集需要驱动的MOSFET的漏极、源极之间的电压信号，电压比较器判断电压信号的极性，得出MOSFET补偿驱动信号，将MOSFET补偿驱动信号和MOSFET原始驱动信号输入至实现“或门”的逻辑电路，得到MOSFET修正驱动信号，将MOSFET修正驱动信号输入至MOSFET驱动电路，通过MOSFET驱动电路驱动MOSFET。本发明还提供了一种降低MOSFET功率损耗的方法。本发明的有益效果是：本发明利用MOSFET沟道反向续流代替体寄生二极管续流，通过减小体寄生二极管导通时间的方式降低MOSFET的功率损耗，从而降低其结温，提高开关管及电路的可靠性。
一种降低 mosfet 功率损耗系统方法

[实用新型]一种无桥PFC升压整流器-CN200920262019.8有效
发明人：胡永辉;黄立巍;黄庆义;弗兰克.赫尔特;武志贤 -专利权人：艾默生网络能源有限公司
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：一种无桥PFC升压整流器，包括整流桥、储能电感和滤波电容，整流桥左上桥臂是一MOSFET双向开关，右下桥臂是一MOSFET管，左下桥臂与右上桥臂分别是一MOSFET双向开关和一MOSFET管，或者分别是一MOSFET管和一MOSFET双向开关；左上桥臂的MOSFET双向开关下面一个MOSFET管漏极，与左下桥臂的MOSFET管或MOSFET双向开关上面一个MOSFET管的漏极连接；右上桥臂的MOSFET双向开关下面一个MOSFET管或一MOSFET管的源极，与右下桥臂一个MOSFET管的漏极耦合。
一种 pfc 升压整流器

[发明专利]共源共栅半导体装置和制造方法-CN202011589335.3在审
发明人：里卡多·杨多克;罗伯特·蒙哥马利;亚当·罗西略 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开涉及共源共栅HEMT半导体装置，包括：引线框；晶片焊盘，其附着到引线框；HEMT晶片，其附着到晶片焊盘，HEMT晶片包括第一侧上的HEMT源极和HEMT漏极、第二侧上的HEMT栅极，其中，该装置还包括MOSFET晶片，该MOSFET晶片附着到HEMT晶片的源极，MOSFET晶片包括MOSFET源极、MOSFET栅极和MOSFET漏极，其中，MOSFET漏极连接到HEMT源极，其中，MOSFET源极包括MOSFET源极夹片，其中，MOSFET源极夹片包括柱状件以将MOSFET源极连接到HEMT栅极，其中，通过导电材料来建立MOSFET源极到HEMT栅极的连接。
共源共栅半导体装置制造方法

[发明专利]用于分立功率半导体器件的共源共栅电流传感器-CN200880110769.1有效
发明人：理查德·K·威廉斯 -专利权人：先进模拟科技公司
申请日： 2008-07-29 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：共源共栅电流传感器包括主MOSFET和感测MOSFET。主MOSFET的漏极端连接到电流被监测的功率器件，并且主MOSFET的源极和栅极端分别地连接到感测MOSFET的源极和栅极端上。在一个使用可变电流源和负反馈的实施例中，主MOSFET和感测MOSFET的漏极电压是相等的。主MOSFET的栅极宽度通常大于感测MOSFET的栅极宽度。使用栅极宽度的尺寸比，通过感应感测MOSFET中的电流大小来测量主MOSFET中的电流。将相对大的MOSFET插入到电源电路中减少了功率损耗。
用于分立功率半导体器件共源共栅电流传感器

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